【摘 要】
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随着红外探测技术的进步,红外隐身材料的发展也越来越快。红外低发射率涂层作为隐身材料的一种,占有非常重要的地位。填料是涂层的主要成分,因此研究探索低发射率填料及影响
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随着红外探测技术的进步,红外隐身材料的发展也越来越快。红外低发射率涂层作为隐身材料的一种,占有非常重要的地位。填料是涂层的主要成分,因此研究探索低发射率填料及影响机理将具有重要的意义。本论文以探索开发低发射率ZnO红外隐身材料为背景进行了理论与实验研究,首先综述了红外隐身材料国内外发展状况,介绍了红外线及红外隐身的基本原理,同时研究了红外吸收与辐射的基本机理。其次,本论文基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,系统研究了ZnO晶体材料及其半导化掺杂(Sn、Al、Li、Na掺杂)体系的电子结构及布居分析。结果表明,半导化掺杂明显的改善了ZnO晶体材料的导电性能,通过导电性能的比较及发射率的计算可知Na的引入对发射率的改善最大。最后,本论文进行了掺杂ZnO的实验研究,通过XRD、SEM以及发射率测试,讨论了不同掺杂浓度、不同热处理温度对样品红外发射率的影响。
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