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近年来,半导体技术飞速发展,根据摩尔定律,半导体器件的尺寸必须不断缩小,现已进入纳米级领域,伴随而来的则是极具挑战的制作工艺和衰退的器件性能。其中,FinFET器件由于具有三面立体式的栅极结构设计,可增强栅极对沟道的控制能力,抑制沟道穿通效应所产生的漏电流,因此已经被工业界所采用,正逐渐成为主流基本单元器件。但随着器件尺寸的继续缩小,更严重的问题又出现了,近年来出现的源、漏和沟道掺杂类型和浓度均一致的无结FinFET器件被认为是能够克服传统FinFET极具挑战的制作工艺和较高的热预算,可满足FinFET结构尺寸继续缩小的下一代主流器件结构。本论文利用仿真软件Sentaurus TCAD对无结FinFET器件进行了三维电学特性仿真研究,并进一步深入研究了结构参数对器件性能的影响。仿真结果显示,无结FinFET器件与相同条件下的传统反型FinFET器件相比,DIBL (Drain Induced Barrier Lowing)值降低了 50%,亚阈值斜率也降低了 13%,证明无结FinFET器件抑制短沟道效应的能力增强。且减小器件的截面积,增大栅极长度或减小栅氧厚度均可以达到改善器件电学性能的目的。但由于无结器件内沟道区掺杂浓度过高,导致驱动电流较低,因此采用双材料栅结构和High-K介质侧墙结构进一步改善了无结FinFET器件的电流驱动能力和抗短沟道效应能力。结果证明双材料栅无结FinFET器件相比于单材料栅无结FinFET器件,驱动电流得到了显著的提高,DIBL值也减小了近43%,而亚阈值斜率虽然有所上涨,但也在可接受的范围内。最后研究了带有High-K介质侧墙结构的双材料栅无结FinFET,结果显示相比于双材料栅无结FinFET器件,驱动电流再一次得到了大幅度的提高,DIBL值也下降了 34%,证明改进后的器件在电流驱动能力和抑制短沟道效应能力方面具有很大的优越性,为无结FinFET器件在纳米级领域的研究应用打下基础。