表面热流的准确测量对传感器响应速度和灵敏度有比较高的要求,原子层热电堆（ALT）薄膜传感器具有显著的优势。但现有的ALT基于单晶基底,存在难以安装、形变有限和厚度带来较大测量误差的问题。制作厚度薄、柔性高、导热性好的ALT传感器,特别是在被测件表面制备集成的ALT传感器的技术,将为复杂外形表面的热流测试提供全新的技术手段。解决问题的关键是在超薄柔性多晶或非晶基底上制备ALT薄膜传感器。本文致力于通过离子束辅助沉积（IBAD）和倾斜基底沉积（ISD）制备MgO过渡层在柔性金属基带实现ALT薄膜的技术。主要研究内容如下:通过溶液涂敷平整化（SDP）—IBAD—功能层制备过程在70μm厚的金属基带上实现ALT薄膜:SDP-Y₂O₃处理基底Hastelloy C267使表面粗糙度均方根RMS下降到2 nm以下。然后在IBAD-MgO实验中通过改变离子入射和源入射角在非晶Y₂O₃薄膜上获得具有c轴倾斜结构的MgO薄膜。自外延MgO后沉积的YBCO功能层样品具有热电各向异性。IBAD实验中离子能量,离子束流,电子束蒸发沉积速率分别为800 eV,120-160 mA,0.25-0.32 nm/s,且离子入射角为5o,源入射角为40o时,样品在激光感生电信号（LIV）测试中灵敏度最高达到0.85 V/mJ,相应的上升沿响应时间55 ns,下降沿响应时间160 ns。XRD扫描结果显示,MgO（002）倾斜1.07o,YBCO（006）倾斜1.65o。通过SDP—ISD—功能层制备过程在金属基带上制备了c轴倾斜的YBCO薄膜:使用SDP-Y₂O₃处理基底Hastelloy C267。ISD-MgO实验中应用了35o和55o的源入射角,在具有非晶Y₂O₃涂层的Hastelloy C267基底上制备厚度1.5μm的ISD-MgO薄膜,自外延MgO后沉积YBCO薄膜。XRD扫描表明,源入射角为5o时,MgO（002）倾斜28o,YBCO（005）倾斜4.8o;源入射角为55o时,MgO（002）倾斜35.6o,YBCO（005）倾斜8o。与基于IBAD-MgO的样品相比,基于ISD-MgO的样品在LIV测试中有望获得更大的灵敏度。通过SDP—IBAD/ISD—功能层的制备在金属基带上可以制备ALT薄膜,此过程为在多晶和非晶表面制备ALT薄膜提供了方法。