ZnO作为一种宽禁带,高激子结合能的氧化物半导体,以其优越的磁、光、电以及环境敏感等特性而广泛地应用于透明电子元件、UV光发射器、压电器件、气敏元件以及传感器等领域。ZnO本身晶格结构特点决定了在众多的氧化物半导体中是一种晶粒形态最丰富的材料。各种形态、维数的ZnO纳米材料的制备和应用目前已在世界范围内受到了人们极大的关注。通常半导体器件的性能取决于半导体微纳区域表面和界面的电子结构和电荷转移行为。因此,无论从理论研究还是实际应用方面来看,从根本上认识不同尺寸、维数半导体材料其微纳区域表面和界面的电子行为以及外界环境对其光电特性的影响是十分必要的。本论文的工作首先是进行各种尺寸、维数ZnO纳米粒子的合成,其次重点研究了零维纳米粒子、一维纳米棒以及三维花状与微球状纳米材料的表面光伏性质,首次在SPS和FISPS中观察到ZnO量子点的光生电荷量子限域效应。然后我们通过研究氧气吸附对于ZnO纳米粒子表面光伏特性的影响,揭示了其光电与光致发光特性间内在关系。这些研究内容为ZnO功能材料的应用提供了必要的实验依据与理论基础。