本论文使用水热合成法，首先通过对反应条件的优化，在FTO导电玻璃表面上合成了高度有序的ZnO纳米棒阵列薄膜，并以此作为模板，制备出了高度有序的ZnO纳米锥阵列薄膜。结果发现，高度有序的ZnO纳米棒阵列模板对ZnO纳米锥阵列的合成起着至关重要的作用，相同的实验方法下，如果不使用模板，只能制备出无序的ZnO纳米锥薄膜。实验采用了电子扫描显微镜（SEM）、X射线粉末衍射仪（XRD）、紫外可见吸收光谱（UV-visible absorption）及荧光光谱（PL）对样品进行表征。结果表明，实验制备出样品的成分是ZnO，并且高度有序的ZnO纳米锥阵列呈现出高度c轴取向性以及很好的结晶度，平均长度最高可达9μm；紫外可见吸收光谱的结果显示，高度有序的ZnO纳米锥阵列薄膜具有很强的陷光效应，因而，高度有序的ZnO纳米锥阵列薄膜比有序的ZnO纳米棒阵列薄膜有更高的光吸收率及更低的光透过率。这使得高度有序的ZnO纳米锥阵列薄膜可以更有效的应用于光电器件，例如光伏电池的研究。另外，本论文通过水热法制备出了平均长度均约为5μm、密度及均匀度相当的无序ZnO纳米锥、高度有序的ZnO纳米锥阵列和有序ZnO纳米棒阵列，并通过紫外可见吸收光谱对它们的光学性质进行了对比。实验表明，高度有序的ZnO纳米锥较纳米棒具有更明显的陷光效应，使其在相同的实验条件下具有最高的光吸收率及最低的光透过率；并且，高度有序的ZnO纳米锥阵列的陷光效应明显强于无序ZnO纳米锥，展现出了高度有序的ZnO纳米锥形貌的优越性。