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氧化锌(ZnO)是一种重要的Ⅱ-Ⅳ族半导体化合物,具有直接宽带隙(3.37eV)、高激子束缚能(60meV)、良好的机电耦合性能和热稳定性、生物兼容性高、原料丰富、无毒无污染、价格低廉等优点。而一维的ZnO纳米材料在力学、光学、电学、磁学等方面具有比块体材料更加优异的性能,在光电、传感器、光伏、光催化、场发射等领域具有巨大的应用前景。ZnO具有六方纤锌矿晶体结构以及在c轴方向有较低的表面自由能,与其他一维材料相比,ZnO更容易形成一维纳米线,而且制备工艺相对简单,有利于制备器件并产业化。因此ZnO纳