溅射法是制备薄膜材料的主要技术之一,靶材是溅射沉积薄膜的源材料。高纯铝靶材主要运用于半导体芯片、平板显示器产业;稀土Gd和Ce靶材主要用于磁记录和光记录产业。靶材产品质量要求严格,主要应满足以下要求:杂质含量低,纯度高;高致密度;成分与组织结构均匀;晶粒尺寸细小。高纯铝靶材主要要求晶粒度200μm~300μm,晶粒取向以(100)面织构为主;而稀土靶材主要要求为高致密度。本论文围绕满足上述的要求开展了对于高纯铝和稀土金属的相关实验和研究。高纯铝采用冷轧和热锻的方式进行了压力加工成型,采用恒温盐浴进行再结晶退火,退火后的试样在Axiover 25蔡司金相显微镜下进行微观组织观察。通过一系列退火对照实验和微观组织观察,确定了最优的压力加工和再结晶退火工艺为:冷轧40%压下量下,退火温度330℃,保温时间10min,水淬。验证了本文所制定的实验方案可以获得制备晶粒度在200μm以内并且组织均匀的高纯铝板。并对其中的2个冷轧退火试样和1个热锻退火试样进行了再结晶织构分析。通过ODF图的观察可以得到以下结论:3个高纯铝退火样中均获得了再结晶{100}织构。由于铝的总变形量小,获得的织构总体强度低。2个冷轧退火样在45°≤ph2≤90°范围内的织构依然具有类似形变织构的特征,但是退火温度高的试样中此种织构强度显著降低;热锻退火样与冷轧退火样织构有明显不同,总体织构强度更低。稀土Ce和Gd铸锭采用冷轧的方式进行加工,然而稀土金属塑性差,易氧化,加工硬化率高,难于进行压力加工。实验运用真空退火炉,通过采用轧前和道次退火的方法制备了总变形量达到了80%以上的轧样。密度测定结果为:轧后Gd试样的密度提高了0.577%,Ce试样的密度提高了0.547%;随着总变形量的增大,试样的密度增大并逐渐接近理论密度值。