一维金属氧化物半导体纳米纤维（nanofibers,NFs）由于其特殊的化学和物理性质已经被广泛用于光电探测、化学和气体传感、显示器件等领域。在一维金属氧化物半导体NFs材料中,SnO2具有大的比表面积、较宽的带隙等优点,被广泛用于光电以及气体传感等领域,然而目前SnO2场效应晶体管（field effect transistor,FET）仍然存在着阈值电压过负、能量消耗较高等亟待解决的问题。针对以上问题,我们通过简便易行的静电纺丝工艺制备了SnO2 NFs,并通过改变NFs的退火保温时间来调控金属氧化物纳米纤维晶体管（NFs FET）的电子传输特性。主要研究工作和成果如下:（1）利用静电纺丝技术制备了SnO2 NFs,通过简单地改变NFs的退火保温时间,控制NFs中的晶粒尺寸,成功地实现了SnO2 NFs FET电学性能的精确控制,获得了高性能增强型（enhancement mode,E-mode）场效应晶体管。其中,最佳退火保温时间为60 min时,NFs中的晶粒直径约为11 nm,所构筑的器件表现出最佳的电学性能,包括较小的正阈值电压(VTH)（≈2.2 V）,较大的开关电流比(Ion/Ioff)≥106和可观的载流子迁移率(μFE)(≈2.3 cm2V-1s-1),成功地解决了SnO2NFs晶体管存在的开关电流比较低、阈值电压较负和能量消耗较高等问题。并且,所制备的NFs FET具有良好的循环稳定性,经过连续50次循环测试后晶体管的电学性能非常稳定,几乎没有发生变化。（2）为了验证改变NFs的退火保温时间可实现对多种金属氧化物NFs FET的电子传输特性的调控,我们通过静电纺丝工艺制备了ZnO NFs,研究了纤维的退火保温时间对ZnO NFs FET的电学性能的影响。同样的,在退火保温时间为60 min时,ZnO NFs FET也表现出了最佳的电学性能,阈值电压仅为0.88 V,开关电流比能够达到106以上,并且具有优异的载流子迁移率(≈5.39 cm2V-1s-1)。本实验验证了通过改变退火保温时间调控金属氧化物NFs FET电学性能的方法具有普适性。