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本课题采用MEMS技术在SOI片（器件层为n型<100>晶向单晶硅）上设计、制作梁-膜结构的微压传感器,该结构包括弹性元件和敏感元件。弹性元件由方形硅膜结构和四个短梁结构组成,敏感元件由四个蛇形压敏电阻（R1、R2、R3和R4）组成,且分别制作在四个短梁的根部构成惠斯通电桥结构,基于压阻效应可实现外加压力的测量。与一般的C型、E型等硅膜结构相比,该梁-膜结构在受到微压时可产生应力分布集中,通过平面应力集中效应,提高了压力传感器的灵敏度,可实现微压（0kPa-10kPa）的测量。本课题结合压力传感器的结构和工作原理,采用ANSYS有限元软件构建传感器结构的仿真模型,研究硅膜结构对传感器压敏特性的影响,给出优化的几何结构模型。仿真结果给出,梁-膜结构由于应力集中分布效应具有更好的压敏特性,并进一步仿真分析了梁-膜结构参数对压敏特性的影响,给出优化的几何结构参数。本文采用L-Edit软件实现梁-膜结构微压传感器芯片版图设计,并基于MEMS技术在SOI片上实现梁-膜结构微压传感器芯片的制作和封装,通过采用全自动压力变送器测试系统、高低温实验箱和压力测试盘等搭建的测试系统,对传感器进行静态特性测试。实验结果给出:在室温20℃、工作电压VDD=5.0V和压力范围0kPa-10kPa下,梁-膜结构的微压传感器灵敏度为0.473mV/kPa、线性度为0.105%F.S.、重复性为0.316%F.S.、迟滞为0.211%F.S.和准确度为0.394%;当温度范围为-40℃到85℃变化时,灵敏度温度漂移为-25ppm/℃。