【摘 要】
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本工作采用低压化学气相沉积（LPCVD）技术,在Si（100）衬底上成功地制备出了具有近化学计量的氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx:H)薄膜。研究了衬底温度、反应压强、沉积时间以及甲烷（CH4）与
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本工作采用低压化学气相沉积（LPCVD）技术,在Si（100）衬底上成功地制备出了具有近化学计量的氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx:H)薄膜。研究了衬底温度、反应压强、沉积时间以及甲烷（CH4）与硅烷（SiH4）气体流量比（[CH4]/[SiH4]）等工艺参数对a-Si1-xCx:H薄膜生长速率的影响。利用傅立叶变换红外光谱（FTIR）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）以及X射线衍射（XRD）等检测手段,对a-Si1-xCx:H薄膜的元素组成和结构特性进行了表征与分析,并初步探讨了LPCVD方法制备a-Si1-xCx:H薄膜的沉积机理。结果指出,气体流量比和衬底温度对SiC薄膜的组分和结构具有重要影响。通过优化组合工艺条件,制备出了具有纳米尺寸的SiC薄膜,这表明适宜的工艺条件有利于SiC薄膜由非晶结构转向纳米结构。采用热退火工艺,研究了退火温度和时间对掺杂a-Si1-xCx:H薄膜电导特性的影响。实验证实,a-Si1-xCx:H薄膜的电阻率是由杂质硼（B）的激活率、掺杂浓度、薄膜组分和晶化程度共同决定的。
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