近年来光伏产业飞速发展，太阳能硅片的需求量不断增大。切割硅片过程中，大量的硅粉、破碎的碳化硅和铁屑进入砂浆，使砂浆失去切割效果成为废砂浆;目前，只有少部分碳化硅能够回收，剩余的碳化硅与硅粉作为切割废料被丢弃，造成严重的环境污染和资源浪费。
　　本文以晶体硅切割废料为原料，首先对原料进行物性分析与酸洗除铁工艺，并考察了三种不同的固液分离工艺设备，采用碳热还原法将得到的纯净原料还原制备成碳化硅粉体，并探索适宜的工艺条件制备碳化硅多孔陶瓷。
　　首先分析原料的物性及探究酸洗除铁工艺，通过对原料的物性分析得到，废料由SiC、Si、SiO2和FeO组成，其粒度主要集中在1～13μm之间。对原料进行酸洗除铁研究，得到较佳的除铁条件为浸出温度70℃、浸出时间4h、硫酸浓度4％、液固比3∶1。酸洗除铁后原料中的铁含量由6.97％降低至0.14％，除铁率为98％。该过程可用未反应缩核模型描述，当浸出温度为30～50℃时，属于化学反应控制，表观活化能为37.57kJ/mol;当浸出温度为60～80℃时，属于内扩散控制，表观活化能为17.01kJ/mol。
　　然后对切割废料酸洗料浆进行固液分离工艺研究，分别探究了絮凝沉降、离心分离和板框压滤三种工艺。絮凝沉降考察了不同电性、分子量、离子度和用量，研究表明:采用阳离子聚丙烯酰胺(CPAM)具有较佳沉降效果，絮凝最佳条件为分子量1500万、离子度20％、用量0.9kg/t。但絮体含水量较高;离心分离主要研究了离心转速、离心时间对分离效果的影响，较佳的分离条件:离心转速2500r/min、离心时间10min，但回收率仅为80.86％，对上清液固体颗粒进行粒度分析，固体颗粒主要集中在1μm以下。因此，1μm以下颗粒难以通过离心分离;通过板框压滤所得滤饼含水率低且小颗粒损失较少，但用水量较多且过程繁琐。综合三种工艺，可采用絮凝沉降与离心分离结合方法进行固液分离。
　　最后以酸洗除铁后切割废料作为原料，采用碳热还原法制备SiC粉体，采用XRD、SEM等分析手段，研究烧结温度、保温时间、配碳量（切割废料与碳粉质量比）对合成碳化硅过程的影响。研究表明:配碳量(mF∶mC)为100∶27，在1550℃保温3h时可成功合成高纯度的SiC粉体。然后研究了SiC添加量对烧制SiC多孔陶瓷性能的影响，在最佳条件下，添加质量分数40％的SiC可制得气孔率为34.4％，体积密度为1.79g/cm3，吸水率为21.9％，抗压强度为27.3MPa的多孔陶瓷。并且对合成过程的热力学进行分析。