纳米银膏是一种新兴的电子封装材料,由于纳米银颗粒尺寸很小,具有很大的表面能,在烧结过程中拥有很大的驱动力,因此可以在较低的温度下实现烧结。烧结后的纳米银具有接近块体银的熔点,从而可以实现高温服役,是非常理想的第三代半导体封装材料。目前对于纳米银的研究大多集中在焊点的性质上,而对于纳米银烧结体自身的性能研究有限,同时,纳米银焊点在高温服役时常常面对蠕变问题,而目前对于纳米银的蠕变特性研究有限,为解决上述问题,本课题制备了烧结银膜表征其自身属性,同时在不同烧结工艺下制备烧结焊点研究其力学性能,并探究了纳米银烧结焊点的蠕变特性。本文利用热压烧结和线切割制备了工字型烧结纳米银膜,通过改变烧结的压力和温度,探究工艺对于银膜烧结组织的影响。在纳米银烧结过程中,纳米银的密度主要受烧结压力的影响,其晶粒尺寸这主要收烧结温度影响。随着烧结温度和压力的增加,纳米银的拉伸强度,杨氏模量等宏观力学性能均有所提升,在250℃,15 MPa下,烧结银膜具有205.7 MPa的高强度。纳米银烧结体的杨氏模量主要受密度影响,可以利用密度预测其杨氏模量,而密度对于拉伸强度的影响主要是改变了其受力面积。当拉伸速率增加时,纳米银膜的强度提升,塑性降低。本文在不同的烧结温度和压力下制备了以镀银铜为基板的纳米银接头,并测量其剪切强度。纳米银焊点的强度与烧结温度基本成线性关系。烧结压力较低时,压力越大接头强度越高,而过大的压力会导致银膏挤出使剪切强度降低,最终选择的最佳工艺为250℃,10 MPa,此时纳米银接头强度为138.5MPa。此外,剪切温度的升高也会导致焊点强度的降低。在室温下,焊点由于不存在蠕变,因而剪切速率的影响较小,低剪切速率仅造成焊点强度的略微下降。本文通过改变蠕变的温度和应力探究纳米银接头的蠕变性能,随着温度和应力的增加,纳米银接头的蠕变寿命降低,通过lgσ-lgt坐标图中回归位置线,利用线性外推可以对焊点寿命进行预测,同时,本文分析了蠕变条件的改变对焊点断面改变的机理。