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目前锰氧化物和钴氧化物做为超级电容器的电极材料而被广泛地研究。锰氧化物具有较高的理论比容量,但它的电子导电性很差,导致它的实际比容量远没有达到理论比容量;钴氧化物同样具有高理论比容量,并且还具备良好的电子导电性,然而钴氧化物的价格要比其它廉价过渡金属氧化物昂贵,并且在使用过程中会对环境产生污染,这些缺点限制了钴氧化物的应用。本文主要运用掺杂、取代和包覆多种方法将锰氧化物和钴氧化物进行复合改性,改善材料的电子导电性,促进离子扩散,降低成本,制备兼具优良电化学性能和价格低廉特点的复合材料,并表征材料、测试性能,分析结果。采用水热法对Mn3O4掺杂钴后,它的六角形纳米片直径变小,电子导电性提高,扩散阻抗减小。在钴的掺杂比例为1.0%时,0.5 Ag-1的电流密度下其放电比容量达到307.9 Fg-1,高于未掺杂钴的242.5 Fg-1;在10 Ag-1时仍有201.2 Fg-1,容量保持率为65.28%,并在1000次循环后基本保持不变。用低廉的锰氧化物部分取代昂贵的钴氧化物,采用简单的液相共沉淀法合成钴锰二元金属氧化物(Co1.5Mn1.5O4)纳米片,确定了添加氯化钴和氯化锰的最佳摩尔比为1:1。Co1.5Mn1.5O4具有的纳米片结构、高比表面积、合适的孔径分布及良好的电子导电性使其表现出了卓越的电化学性能:在0.5 Ag-1时放电比容量高达472.5 Fg-1,经历1000次充放电循环几乎没有衰减,10 Ag-1时仍然可以保持338.5 Fg-1。用导电性较差、结构不稳定但比表面积大的超薄MnO2纳米片包覆导电性良好、结构稳定的Co3O4纳米线,在泡沫镍上制备了Co3O4@MnO2核壳阵列复合电极材料,其放电比容量在0.5 Ag-1时高达533.9 Fg-1,10 Ag-1时仍能保持63.9%,且经过2000次循环后的容量保持率依然接近100%。