二维过渡金属硫族化合物（TMDs）因其独特的结构和优异的光电性能而备受关注。在光电子领域的应用中,丰富的带隙是必不可少的。但是,TMDs材料的带隙种类却十分有限,因此,TMDs的带隙工程成为研究的热点之一。研究发现,TMDs的合金化能调控该材料的带隙,达到丰富TMDs带隙的目的。本论文以氯化钠辅助化学气相沉积法为手段,探究了单层二硫化钼（MoS₂）的可控生长。然后在其基础上实现了可调带隙的单层硒硫化钼合金(MoS_2xSe_2（1-x）)的制备并对其光致发光性能进行了研究。具体研究内容如下:（1）通过探究影响单层MoS₂晶体生长的四个因素:生长温度、反应物的用量、衬底的种类和辅助生长剂NaCl的用量,从而寻找到NaCl辅助CVD法制备单层MoS₂晶体的最佳生长条件。并对最佳生长条件下制备的样品进行了光学显微镜、拉曼光谱等表征,结果表明,该生长条件下制备的样品为单层MoS₂晶体。在熔融玻璃衬底上,单个MoS₂晶体的尺寸可达400μm,Si/SiO₂衬底上制得的MoS₂连续薄膜尺寸能够达到毫米级别。（2）在MoS₂制备技术的基础上引入Se源,实现单层硒硫化钼合金的制备。表征结果显示,我们所制备的样品为单层MoS_2xSe_2（1-x）合金,其尺寸可达100 μm。并通过改变反应体系中S源和Se源的用量,实现了对MoS_2xSe_2（1-x）合金带隙的连续调控。光致发光谱的测试结果表明,所有样品均表现出单一的光致发光峰,发光峰位在669nm和810nm之间连续可调,即合金的带隙调控范围为1.50eV～1.85eV。图36幅,表2个,参考文献69篇。