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PbTe作为商业化热电材料之一主要应用于中温区域（500K～800K）的热电发电。PbTe是Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料，其晶体结构属于NaCl结构，禁带宽度较窄（0.3eV），具有各向同性的结构、高的晶体对称性、低的晶格热导率等优点，是一种优良的中温热电材料。探索通过不同的掺杂元素来优化和改善PbTe材料的热电性能是国内外研究的热点。本文以Ag、Ga作为掺杂元素，探索了单相Ag、Ga单独掺杂及AgGa共掺PbTe化合物的合成与制备方法，系统地研究了Ga、Ag含量对PbTe化合物的结构和热电性能的影响规律，同时研究了制备工艺对AgxGayPb1-x-yTe化合物热电性能的影响，研究结果表明：在n型GaxPb1-xTe（x=0.01～0.05）化合物中，随着Ga取代分数x的增加，样品载流子浓度增加，载流子迁移率逐渐减小，载流子散射机制从声学波散射逐渐变为声学波和电离杂质共同散射；随着Ga含量的增加，化合物的电导率大幅度增加，Seebeck系数绝对值降低。随着Ga含量的增加，GaxPb1-xTe化合物的晶格热导率先减小后增加，当x=0.03时，Ga0.03Pb0.97Te化合物晶格热导率最低。在所有组成化合物中，Ga0.02Pb0.98Te化合物在675K时显示最大ZT值达1.25，这比文献报道的n型PbTe的热电性能指数相比提高了近55％。在AgxPb1-xTe（x=0.002～0.05）化合物中，在整个测试温度范围内，样品的电导率随着温度升高先减小后缓慢增加，表现为典型的半导体传导特征。当x=0.01时，样品Seebeck系数为负，表现为n型传导；x＞0.01时，样品Seebeck系数均为正，表现为p型传导。Ag掺杂主导了（AgGa）xPb1-2xTe（x=0.01～0.05）样品的传导特性，Ag含量为1％时，样品为n型传导；Ag含量高于1％时，样品为p型传导。在所制备的四元样品中，AgyGa0.01Pb0.99-yTe（y=0.01～0.05）样品表现出很好的单相性，Ag0.01GaxPb0.99-xTe（x=0.01～0.05）样品表现出较好的性能。Ag0.01Ga0.01Pb0.98Te样品在675K时得到的最大ZT值达1.33。