本文主要是研究n=3，△n=0的禁戒跃迁谱线，特别是类硅离子从五重态跃迁到三重态产生的谱线。因为类硅离子外层有4个价电子，要考虑的情况较复杂，目前无论是理论上还是实验上给出的这类离子的数据还不够多。从实验和理论两方面展开了工作。在实验方面，在国际上用束箔光谱方法首次对类硅Rh(Z=45)离子的3s23p23P1,2-3s3p35S2这两个禁戒跃迁谱线进行了研究。之所以选Rh离子，是因为已做的研究基本集中在Z＜50区域，且研究的最重的元素是Mo(Z=42)；而在Z＞50区域，已研究的元素只有Xe(Z=54)和Au(Z=79)，Rh位于这两者之间，可以成为联系这两部分的研究的桥梁，这对判断等电子系列趋势在Z＞50的行为是很关键的。在理论方面，采用MCDF(Multi-Configuration Dirac-Fock)的Grasp(General purpose Relativistic Atomic Structure Package)程序包对类硅Zn，Kr,Zr, Nb，Mo，Rh，Xe，Au离子的3s23p23P1,2-3s3p35S2跃迁能级进行了计算，计算中采用逐次基矢展开方法，从而较好的考虑了4个价电子之间的关联作用，得到了很好的收敛结果。