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自石墨烯被发现以来,便立刻激发了科学家的研究热潮.众所周知石墨烯具有诸多优异的性质,石墨烯在未来电子学产业中具有极大的应用前景便是由于其具有超高的电子迁移率.然而石墨烯是零带隙半导体,这极大地限制了它在电子学器件上的应用,所以无论从理论上还是实验上,研究者们一直致力于打开石墨烯的带隙,并对带隙进行调节,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法从理论上研究了不同构型硅纳米线的嵌入对石墨烯带隙及电子特性的调节,分析了不同构型硅纳米线嵌入石墨烯后结构的稳定性、能带结构、态密度、差分电荷密度和能带密度。