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半导体器件的性能受到表面态的影响很大,表面态在SiC半导体器件中也是不可避免的,由于表面处化学键的断裂或不匹配,表面会存在大量的悬挂键,这些悬挂键将会在表面禁带中引入大量非本征能态,亦即界面态和表面态,这些电子态将导致表面和界面处原子的化学、电学、光学特性与体内原子不同。在表面态或者界面态密度很大时,将导致表面处费米能级钉扎和能带弯曲变形。有效地减少界面态或者表面态,对于提高和改善器件的性能具有非常重要的意义,所以研究SiC表面钝化技术很有必要。本文主要对SiC表面S钝化工艺进行研究了并分析了钝化效果。实验中采用不同浓度的NH3·H20和(NH4)2S的混合溶液钝化SiC的表面,通过I-V测试研究最佳的钝化工艺参数。并采用I-V提取势垒高度和XPS测试表征钝化效果,并研究其钝化的改善机理。主要研究内容及结果如下:1、SiC的Si面S钝化工艺参数研究及钝化效果表征。利用不同浓度的钝化混合溶液对SiC的Si面进行钝化,研究得到最佳的钝化参数为:钝化温度60℃、钝化时间30min、NH3·H20浓度为2.4mol/L、(NH4)2S为浓度0.22mol/L,并通过I-V测试比较反向饱和电流定性的表征钝化效果。以及利用XPS测试最佳钝化参数下的样品,结果表明最佳钝化参数下的样品表面是存在S-Si键的,进一步证明S钝化SiC的Si面是有效果的。2、初步研究S钝化SiC的C面的钝化工艺参数,对比钝化前后Al/SiC肖特基接触的Si面和C面反向饱和电流的减小数量,钝化后Si面的反向饱和电流减小量比C面多一个数量级,间接的说明钝化对Al与SiC的Si面势垒高度改善效果明显,结果表明SiC的Si面的钝化效果比C面好。3、S钝化SiC表面的钝化机理研究。制作Al/SiC肖特基接触,对比分析S钝化前后Al/SiC肖特基接触的势垒高度,提取势垒高度结果表明势垒高度值增大了 0.17eV。为了研究其钝化的改善机理,利用XPS对表面能带弯曲量以及表面密度的变化进行分析,结果表明经过钝化后的样品的表面能带弯曲量降低了 0.28eV,说明表面态密度降低。并进一步讨论Al/SiC肖特基接触的势垒高度和表面态密度的关系,发现实验结果和Cowley和Sze的势垒理论是相吻合的。