二维材料因为其优良的电学、光学、热学等特性,激发了无数学者的研究热情,受到材料学领域的广泛关注。而二维材料的性质与层数、缺陷等因素密切相关,二维材料的制备是研究其性质与应用的基础。因此可控制备高质量的二维材料是这一领域的研究重点。二硫化钨作为典型的过渡金属硫化物,在电学器件、能源、生物和复合材料等方面有极大的应用潜力。但是有关制备二硫化钨的研究还处于起步阶段,大规模可控制备高质量二硫化钨依然是研究的重点和难点。本论文围绕化学气相沉积法可控制备大面积、高结晶质量的二维二硫化钨,改进生长工艺使实验过程更加简单,实验成本大大降低,并且提高了实验的可控性。系统研究了不同生长参数对制备的二硫化钨样品层数,结晶质量以及面积的影响。研究内容如下：1、改进生长工艺。在常压下使用简单的单温区管式炉即可生长出高质量的二硫化钨,降低了实验成本。2、利用化学气相沉积法可控制备出大面积、高结晶质量的单层二硫化钨。通过调节生长温度、药品用量(反应源浓度)、生长时间以及硫源距离等参数找到制备二硫化钨的最适条件。通过光学显微镜观察到制备的单晶二硫化钨为典型的三角形结构,尺寸达200μm,大于其他文献报道中制备的单晶二硫化钨。二硫化钨层数增加时,它的拉曼光谱两个特征峰E12g、A1g会分别发生蓝移和红移,通过波数差E12g-A1g表明我们制备的二硫化钨为单层；单层二硫化钨PL发光峰位619mn,层数增加时峰位出现蓝移,PL光谱强度越高说明晶粒结晶质量越高,通过PL发光峰表明我们制备的二硫化钨结晶质量高。通过调节生长时间实现了二硫化钨可控生长的目的。3、系统研究了不同生长参数(生长温度、生长时间、药品用量)对制备的二硫化钨样品的影响。(1)不同生长温度影响单晶二硫化钨的尺寸、层数以及结晶质量。温度越高尺寸越大,结晶质量越高,但是生长温度大于950℃会抑制二硫化钨的生长,使二硫化钨厚度增加。(2)不同生长时间主要影响二硫化钨的尺寸和层厚,时间越长尺寸越大,晶粒越厚。(3)不同药品用量主要影响二硫化钨的晶粒尺寸和结晶质量。硫源不足及小于0.1g时会抑制二硫化钨的生长,使晶粒中缺陷增多降低结晶质量。