本文采用传统的固相反应法合成了几个系列的反铁电材料。首先合成了反铁电态的锆钛酸铅（PZT）;然后以反铁电态的锆钛酸铅（PZT）为基体,以氧化镁和氧化铌为掺杂剂,合成xPMN-（1-x）Pb(Zr_0.95Ti_0.05)O₃（x=0.01,0.02,0.03,0.04）和0.02PMN-0.98Pb(Zr_xTi_1-x)O₃（x=0.99,0.98,0.97,0.96,0.95）两个系列的陶瓷材料;然后以反铁电态的锆钛酸铅（PZT）为基体,以氧化镱为掺杂剂,合成(Pb_1-xYb_x)ZT（x=0.0067,0.0133,0.0200,0.0267）系列陶瓷材料;最后以氧化镱和氧化铌为掺杂剂,合成0.02Pb(Yb_0.5Nb_0.5)O₃-0.98Pb(Zr_xTi_1-x)（x=0.99,0.98,0.97,0.96）系列陶瓷材料。加入烧结助剂Bi₂O₃,显著降低了烧结温度。研究发现当Ti摩尔含量为1%时反铁电PZT的损耗角正切值只有0.003,而绝缘电阻率达到8.5·10¹³Ω·cm,击穿电场强度超过11KV/mm。氧化镁和氧化铌的加入,降低了材料的居里温度和电阻率,提高了材料的相对介电常数、介电损耗,对击穿电场强度影响不大。氧化镱的加入,降低了材料的居里温度、绝缘电阻率和击穿电场强度,提高了材料的相对介电常数和介电损耗。并且材料获得了很好的温度稳定性,当镱摩尔含量为0.02667时,材料在长达200℃的温度范围内相对介电常数稳定在7000左右。氧化镱和氧化铌的加入,在提高材料相对介电常数的同时,显著降低了介电损耗。组成为0.02Pb(Yb_0.5Nb_0.5)O₃-0.98Pb(Zr_0.96Ti_0.04)的材料,相对介电常数为245,而损耗只有0.004。研究发现,氧化镱单独掺杂时,镱以Yb²⁺的状态存在,等价取代Pb²⁺,氧化镱和氧化铌共同掺杂时,镱以Yb³⁺的状态存在,Yb³⁺和Nb⁵⁺共同取代Zr⁴⁺(Ti⁴⁺)。