碳化硅颗粒(SiCp)增强铝基复合材料因其优异的综合性能成为复合材料领域中备受瞩目的研究热点之一。但众多研究发现,温度较低时Al在碳化硅(SiC)基板上的润湿性差,实际生产时SiCp在熔融Al液中容易团聚,且温度较高时二者又容易发生有害的界面反应生成脆性相A14C3。探讨增强体与基体金属之间的润湿机理,揭示熔融基体金属在增强体陶瓷上的铺展动力学规律对于优化金属基复合材料的制备工艺具有重要的理论指导意义。因此本文从理论与实验结合的角度出发,系统讨论了纯Al及其合金在SiC基板上的润湿性,同时从生产应用方面,研究了不同表面预处理工艺对SiCp在熔融Al液中实际分散性的影响。利用有限固液界面润湿体系,得到不同温度下纯Al及其合金在SiC基板上的固液界面能(ysl)曲线,并进行对比分析。应用本课题组早前建立的有关γsl的动力学模型,计算得到体系的反应速率常数,利用公式计算得到Al/SiC体系的反应激活能。对于润湿性实验,973K和1073K下Al/SiC体系呈现不润湿,当温度大于等于1123K时体系开始由不润湿转向润湿,随着温度升高体系的润湿性和铺展速率明显得到改善。当温度为1073-1173K时,Al-12wt%Si/SiC体系的接触角(θ)随着温度的升高不断地减小,但θ的变化速率随着Si含量的增加而减小,界面反应被抑制;对于Al-7 wt%Si/SiC体系则是经历了一段滞留现象,θ几乎不发生变化。当温度继续升高,两体系都表现出良好的润湿性和铺展速率,发现Si的添加会促进Al/SiC体系润湿性改善并且使γsl减小。三个体系的反应铺展阶段都很好地拟合了直线关系,纯Al/SiC体系两个线性阶段,分别是Al与Si02反应以及Al与SiC反应,后者的反应激活能(Ea)大于前者,说明Al与Si02更容易反应。在SiCp表面预处理实验中,对比研究了高温氧化、表面镀铜、酸洗、溶胶凝胶、真空处理等不同表面预处理工艺对SiCp在熔融铝液中实际分散性的影响,利用SEM和XRD等进行检测与表征。实验结果表明,1200℃、2h的高温氧化处理有利于SiCp在实际铝液中的分散,高温氧化后SiCp镀铜效果得到明显改善,氧化工艺使得SiCp表面棱角钝化,抑制颗粒尖角处的应力集中,有利于提高复合材料的性能。