【摘 要】
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功率SiC MOSFET器件具有高击穿场强、高耐受温度、低损耗、高频率等优点,已经成为新型功率半导体器件研究开发的主流。随着其应用范围不断扩展,SiC MOSFET静态特性参数和电容
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功率SiC MOSFET器件具有高击穿场强、高耐受温度、低损耗、高频率等优点,已经成为新型功率半导体器件研究开发的主流。随着其应用范围不断扩展,SiC MOSFET静态特性参数和电容参数导致串并联器件均压均流不平衡的问题也越发受到重视,SiC MOSFET驱动电路设计以及一次回路的频率分析也与这些参数息息相关。因此在不同温度范围内测量器件的静态参数和电容参数愈显重要。本文针对于Cree公司生产的型号为C2M0080120D的N沟道增强型SiCMOSFET器件,分析阐述SiC MOSFET器件的工作原理和物理机制,总结场效应管静态参数和电容参数测试的相关标准并提炼出针对性的测试方法,利用Agilent B1505A以及高低温试验箱搭建了实验平台,对Cree生产的SiC MOSFET的电容参数以及宽温度范围内的静态特性参数展开测试,并对可能产生的误差进行修正以确保测试结果的准确性。分析对比不同温度下,SiC器件静态特性参数的变化规律及其性能的改变,并从物理机制上解释各参数随着温度的变化规律。本文结合国网智能电网研究院项目"1200V SiC MOSFET器件制备及应用特性关键技术研究”,重点研究了器件在宽温度范围内的特性参数变化,为建立完善准确的SiC MOSFET器件仿真模型,以及后续研发的器件参数和可靠性测试提供具体方法。
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