随着集成电路技术的不断发展,功率器件的研究受到了广泛关注,SOI (Silicon-on-Isolation)技术以其理想的介质隔离性能,相对简单的隔离工艺受到研究的重视。但是相比于体硅功率器件,SOI功率器件的纵向耐压小,这是由于埋氧层的引入削弱了RESURF效应。另外,在较厚埋层的情况下,器件有着明显的自加热和Kink效应,这对于器件性能的稳定性影响显著。本文提出了新型的埋层材料来达到减小SOI LDMOS的两个主要缺点的目的。首先,研究了SON(Silicon-on-Nothing) LDMOS器件,该器件采用了介电常数更小的真空作为埋层,改进了SOI LDMOS中纵向耐压小的缺点,并且因为可以将空洞埋层做的更薄,这在一定程度上也改进了器件的自加热效应。但是,对于SON LDMOS而言,MOS功率器件常见的较长漂移区可能带来问题,因为空洞层会引起器件纵向机械强度的减小,而且在后续的封装中也可能引入问题。为此,本文又提出了一种新型的多孔硅LDMOS结构,该器件保留了SON较高击穿电压和小寄生电容的优势,并改进了器件的结构强度及散热能力。研究表明,70%孔隙率的多孔硅LDMOS和SON LDMOS相比,击穿电压几乎没有改变,而寄生电容也只有不到10%的提高,但此时器件的可靠性由于多孔硅的支撑而大大增强。所以多孔硅LDMOS是一种更理想的功率器件结构