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以甲氨基铅卤化物（CH3NH3PbX3）为代表的有机-无机杂化钙钛矿材料作为一种新型光敏材料在光电领域有着超越传统有机及无机半导体材料的显著优势,近年来发展迅速,目前报道的钙钛矿太阳能电池光电转换效率已达到22%。钙钛矿材料成本低廉,具有高吸光能力、可调节的禁带宽度、较长的载流子扩散长度和寿命、低缺陷密度,同时,钙钛矿材料具有优良的双极性载流子输运特性,有望实现高性能光探测器。本论文围绕高性能钙钛矿光电探测器,采用溶液法化学氧化还原法石墨烯代替CVD法生长石墨烯薄膜,采用全溶液法构筑了钙钛矿-石墨烯以及钙钛矿/二硫化钼-石墨烯两种杂化异质结结构,对光电探测器溶液法制备技术及光电探测行为进行了深入研究,探讨了体异质结结构提升钙钛矿光电响应的内在机制,实现了高响应度钙钛矿/二维材料杂化光电探测器。设计制备了钙钛矿/石墨烯双层异质结杂化光电探测器结构,利用钙钛矿材料的高光吸收及石墨烯的高载流子迁移率,实现了高响应度钙钛矿光电探测器。通过溶液法组装高质量低缺陷的单层氧化石墨烯并对其进行化学还原处理,获得了具有高载流子迁移率的还原氧化石墨烯沟道层,代替CVD法生长的石墨烯薄膜作为载流子传输层,并通过溶剂工程、结晶处理等优化了溶液法石墨烯薄膜上高质量钙钛矿薄膜的制备工艺。研究了石墨烯厚度、钙钛矿吸光层厚度、钙钛矿薄膜质量对钙钛矿/石墨烯双层异质结杂化光电探测器光电性能的影响。优化得到钙钛矿/石墨烯双层异质结杂化光电探测器件具有优异的光电响应特性:响应度62 A/W,响应/恢复时间均小于45 ms（光波长:520 nm,光功率密度:1.6 mW/cm2）。设计并通过溶液法制备工艺在还原氧化石墨烯导电沟道上制备了钙钛矿/二硫化钼体异质结杂化结构光电探测器。将二硫化钼纳米片均匀分散于钙钛矿体内构筑钙钛矿/二硫化钼体异质结结构,利用钙钛矿/二硫化钼界面处高效的电荷转移（二硫化钼为电子受体）以及体异质结结构比双层薄膜结构提供更多的界面,获得了高质量的钙钛矿/二硫化钼体异质结复合薄膜和高性能光电探测器,响应度最高为1.08×104 A/W,响应/恢复时间均小于45 ms（光波长:660 nm,光功率密度:0.53μW/cm2）。研究了二硫化钼浓度、结晶质量等对体异质结型光电探测器的性能影响,系统表征了其光电性能,着重分析了引入二硫化钼形成体异质结能够提高光电探测性能的内在物理机理。验证了柔性钙钛矿/二硫化钼体异质结光电探测器可行性,实现了具有高光电探测性能和良好耐弯折性的柔性光电探测器件。