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目的：观察头穴丛刺对慢性脑缺血大鼠学习记忆能力及额叶皮层、海马区VEGF表达的影响,并探讨其作用机制。方法：采取sarti改进的双侧颈总动脉永久性结扎法(2V0)制备慢性脑缺血大鼠模型,将制备成功的大鼠随机分为三组：缺血组、头穴丛刺组、尼莫地平组。Morris水迷宫检测大鼠学习记忆能力,HE染色观察大鼠额叶皮层和海马区的细胞形态学的变化,SP免疫组化法检测VEGF蛋白表达的情况。结果(1)学习记忆能力的改变：与空白对照组比较,假手术组大鼠逃避潜伏期变化不显著(P>0.05)；与假手术组相比,缺血组大鼠逃避潜伏期明显延长(P<0.01)；相对缺血组而言,头穴丛刺组和尼莫地平组大鼠的逃避潜伏期有所缩短(P<0.01)；头穴丛刺组和尼莫地平组大鼠逃避潜伏期比较差异无统计学意义(P>0.05)。(2)形态学变化：HE染色可见空白对照组和假手术组大鼠额叶皮层锥体细胞数目多,排列紧凑,染色浅。海马区4至多层细胞染色浅,排列紧密,偶见固缩细胞；缺血组大鼠额叶皮层锥体细胞数目明显减少,排列疏松,细胞周围间隙明显,形态不规则,呈三角形,胞质染色不均但着色深,有空泡形成；海马区细胞数目明显减少,形态不规则,排列松散,可见大量固缩细胞。头穴丛刺组和尼莫地平组大鼠额叶皮层锥体细胞数目较多,排列紧凑,形态大体规则,可见少量固缩细胞；海马区细胞数目轻度减少,形态清晰,见少量固缩细胞。(3)免疫组化检测结果：与空白对照组比较,假手术组大鼠额叶皮层和海马区VEGF表达差别不显著(P>0.05)；与假手术组比较,其他组大鼠的额叶皮层和海马区VEGF表达明显增多(P<0.01)；与缺血组比较,头穴丛刺组和尼莫地平组大鼠额叶皮层和海马区中VEGF表达显著增多(P<0.01)。头穴丛刺组和尼莫地平组大鼠额叶皮层和海马区VEGF的表达差异无统计学意义(P>0.05)。结论：1.成功的采用2V0法建立了慢性脑缺血大鼠模型。2.头穴丛刺能改善慢性脑缺血大鼠的学习空间记忆能力,提高大鼠的学习空间记忆能力。3.头穴丛刺法可以明显提高VEGF在慢性脑缺血大鼠额叶皮层和海马区的表达,提示头穴丛刺法可能是通过上调VFGF的表达来改善慢性脑缺血大鼠的学习空间记忆能力。