近年来,铜铟硒和铜铟硫两种半导体纳米材料,由于其在太阳能电池方面的应用,受到了广泛的关注。本文用价格低廉、更易得到的S元素取代CuInSe2中部分Se元素,既能改善CIS电池的光电性能,也能降低电池组件的成本,该合金CuInSexS2-x将会成为一种非常有前途的太阳能电池材料。本文用热注射法制备了CuInSeS2-x和Cu2-xInxSn1-xSe3-x两种合金,找到了最佳合成工艺,证明了其合金本质,做到了样品形貌和大小的可控,实现了带隙随着合金组成的变化在一定范围内可调。提出了用常温滴片制备CISS(CuInSexS2-x)薄膜的新方法,使用稀有气体保护退火法处理CISS薄膜,研究了薄膜基本性质,证明了该方法的可行性,探索了一种制备CISS薄膜的新方法。文中所用方法操作更加简单、毒性更小、成本更加低廉,更有利于工业化生产。