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随着科学技术的飞速发展，电子器件逐步向小型化﹑高容量化发展。这使得我们对电子材料提出了更高的要求。钙钛矿型功能陶瓷凭借其优异的电学性能而受到广泛的研究和应用，如：传感器，电容器，超声换能器，滤波器等。BaTiO3钙钛矿陶瓷具有较高的介电常数和环境友好特性，被认为是取代铅基功能陶瓷的候选材料之一。然而纯的BaTiO3陶瓷材料在130oC、0oC和-90oC相变点附近的介电常数存在着异常波动而且烧结温度高达1400oC，这使得BaTiO3陶瓷材料在工业应用上受到了很大的限制。因此发展一类具有高介电性能同时又能够满足电子元件要求的BaTiO3基钙钛矿材料尤为重要。近年来，由于 BiMeO3钙钛矿材料能够有效的提高 BaTiO3材料的介电性能又能够降低陶瓷的烧结温度而受到广泛的关注这里Me可以是Al3+、Y3+、(Zn1/2Ti1/2)3+、(Mg1/2Zr1/2)3+等三价化合物。 本文利用掺杂改性的思想，通过传统两步固相烧结法来制备了：(1-x)BaTiO3-xBi(Li1/3Zr2/3)O3(BT-BLZ)、(1-x)BaTiO3-xBi(Li3/5W2/5)O3(BT-BLW)、(1-x)BaTiO3-Bi(Ni2/3Nb1/3)O3(BT-BNN)、(1-x)BaTiO3-Bi(Mg2/3V1/3)O3(BT-BMV)、(1-x)Ba0.8Ca0.2TiO3-xBi(Mg0.5Zr0.5)O3(BCT-BMZ)陶瓷样品，并且系统研究了陶瓷样品的显微结构、相结构以及电学性能。通过对陶瓷样品的结构与性能研究测试后发现，随着掺杂剂含量的增加 BT-BLZ、BT-BLW、BT-BNN、BT-BMV、BCT-BMZ陶瓷样品的相结构逐渐由四方相向伪立方相过渡。通过添加适量的掺杂剂，陶瓷样品在比较宽的温度范围内具有较大介电常数，较小介电损耗和稳定的介电性能。当x=0.1时，(1-x)BT-xBLZ陶瓷样品从-70oC到144oC温度范围拥有稳定的介电常数(Δε/ε25℃≤±15％)，较小的介电损耗(<2%)。此外BLW掺杂的BT的介电性能也得到了提高。0.9BT-0.1BNN陶瓷样品，从室温到160oC具有较大的介电常数（1000-1100）和较低的介电损耗(<2%)，介电常数随温度的变化率△ε/ε27℃≤±15%。(1-x)BT-xBMV陶瓷样品在 x=0.2时，介电常数的稳定性获得了很大的提高。在25-300oC温度范围内，介电常数随温度变化率（△ε/ε25℃）小于±15%。BCT-BMZ陶瓷样品当组分增加到x=0.3时，相变峰基本被压平，陶瓷样品取得较好的介电稳定性从27oC到290oC温度系数△ε/ε27℃≤±15%，和较小的介电损耗tanδ≤0.02.