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因在工业上具有广阔的应用前景,高温超导带材研究受到相当的重视。与第一代铋系超导带材（BSCCO）相比,第二代YBCO涂层导体具有较低的交流损耗和较高的性价比。在二代涂层导体中,第一层过渡层（也称为种子层）起着顺延织构和阻挡基带与超导层之间互扩散的重要作用,因此,种子层是涂层导体制备的关键。本论文开展了氧化钇（Y2O3）及氧化铈（CeO2）种子层薄膜的沉积制备研究。在双轴织构的镍钨合金（Ni-5at.% W）基带上,采用直流磁控反应溅射法生长Y2O3及CeO2薄膜。为了获得高度双轴织构、表面平整、结构致密的种子层,本论文开展了以下研究工作:1.采用两步法生长Y2O3种子层,研究了沉积温度、溅射功率、水蒸汽分压、沉积时间等工艺参数对薄膜c轴织构程度的影响。初步优化了Y2O3薄膜的生长工艺条件,当沉积温度约为720℃附近、水蒸汽分压约为0.2Pa附近、溅射功率在15W45W、沉积时间约为60min时,制备出了织构程度良好的Y2O3薄膜;2.在Y2O3薄膜的生长研究中,Y2O3种子层的优化工艺参数窗口太窄,且薄膜结构不利于后续过渡层或YBCO薄膜的沉积,为此,本论文改用CeO2作种子层材料。采用等温退火法（或称“一步法”）沉积CeO2,即:先在氧化性气氛下直接反应生长CeO2薄膜,再在与沉积温度相同的温度下对薄膜进行退火处理,系统研究了沉积温度、退火时间、水蒸汽分压对薄膜c轴织构程度的影响。总结出沉积CeO2薄膜的优化工艺条件,当沉积温度为720-850℃、水蒸汽分压介于1×10-4-5.5×10-4Pa之间、退火时间≥40min时,获得了织构程度良好的CeO2种子层薄膜;3.由于一步法制备CeO2种子层中水分压范围狭窄,工艺条件难以控制,并且退火延长了薄膜的制备时间,因此,本论文又采用了两步生长法沉积CeO2种子层,即:先在Ni-W基带上沉积一层约15nm的金属Ce薄膜,再通入氧化气氛（水蒸汽）,继续进行薄膜沉积。两步法中运用正交实验的方法分析了沉积温度,水分压,溅射功率,沉积时间和总压对薄膜c轴取向的影响程度,发现沉积温度对薄膜织构的影响最为显著,溅射功率次之。同时获得了高度双轴织构的CeO2薄膜,其c轴取向度达到98%,薄膜面外半高峰宽（Δω）与面内半高峰宽（ΔΦ）分别为4.0°和8.2°,5×5μm2扫描范围的表面粗糙度（rms）为7.455nm;