电沉积法制备ZnSe薄膜及结构表征研究

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ZnSe是一个宽的带隙(2.7eV)半导体材料,在短波长领域它是一种不可替代的光学材料。它对光电子吸收层有更高的通过率,这样可以更广泛的应用于压电陶瓷太阳能电池设备上。本论文采用电沉积法制备ZnSe薄膜,在ZnSO4和Se02的酸性水溶液中,以ITO导电玻璃为阴极(工作电极),采用恒电位法沉积ZnSe薄膜,通过改变实验参数如离子浓度、pH值、温度、电沉积电位等参数确定最佳的实验参数:Zn/SeO3浓度比为500/3,沉积电位为-850mV, pH=2.4,反应的最佳温度为35℃,沉积的时间为
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