本文采取溶胶析出法对BMT(Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃)表面进行ZrO₂包覆处理,制备了真正意义上的BMT与微晶玻璃复合材料。测量了不同BMT体积分数和不同热处理制度下样品的微波介电性能,结合X射线衍射和扫描电镜分析,确定了样品的晶相组成,阐述了它们之间的关系。结果表明:ZrO₂对BMT的表面包覆能够抑制BMT与微晶玻璃反应,只有存在ZrO₂包覆时,BMT与微晶玻璃才能形成复合材料,否则,BMT在烧结过程中将与微晶玻璃发生反应而消失。ZrO₂包覆层的厚度直接影响BMT与微晶玻璃的反应程度,厚度大则抑制效果显著,但是ZrO₂包覆层厚度太大会产生剥落。BMT阻碍复合材料的烧结致密化,随着BMT含量增加,样品密度下降,本该提高的介电常数被气孔率抵消。ZrO₂包覆层虽然有利于保留BMT含量,但较厚的涂层使样品的Q值降低。温度系数取决于样品中所含各晶相的温度系数及其相对含量。600℃热处理有利于ZnAl₂O₄相的析出长大,随着热处理时间的延长,ZnAl₂O₄相的含量增加,样品晶粒长大,有序度增加,残余玻璃相减少,复合材料的Q值增大,温度系数往负方向移动。得到了性能较为理想的两个样品,其中1020℃B30样品600℃热处理12h:ε_r=9.51,Q=1116.1,,τ_ε=-5.4 ppm/℃;1050℃B30样品600℃热处理12h:ε_r=9.70,Q=1159.3,τ_ε=4.5 ppm/℃。