PVK掺杂体系光电特性的研究

来源 :北方交通大学 北京交通大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tinggu
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在该文中,对含有PVK的掺杂体系的光电特性进行了研究.研究工作主要分以下两个方面进行:1、PVK与C60的混合体系的光电特性.PVK作为电子给体,C60作为电子受体,研究了混合体系的光致发光的猝灭现象,我们发现极少量的C60便可以引起很强的猝灭作用,随C60浓度的增加,猝灭现象更加明显,当C60在混合体系中的浓度大于1%时,发光的猝灭趋于饱和.我们在PVK:C60体系中没有发现光电导现象,这是由于C60的掺杂浓度受到其自身性质的限制,而过低掺杂量的C60在混合体系中以电子陷阱的形式存在,抑制了光电导的产生.2、PVK与Tb(m-benzoicacid)3的混合体系的光电特性.研究了一种新型稀土配合物发光材料(对苯甲酸铽Tb(m-benzoicacid)3)的发光特性.以这种材料为掺杂剂,聚乙烯咔唑(PVK)为基质材料制备了器件.我们通过对光谱地研究,发现在掺杂体系中,Tb的发光来源于从PVK的能量传递,我们通过研究Tb(m-benzoicacid)3的掺杂浓度变化的光谱,分析了能量传递过程,推断出,能量传递方式主要是Dexter方式,说明了掺杂体系中发光可利用基质的三线态激发的能量.我们以PVK:Tb(m-benzoicacid)3掺杂体系为发光层,八羟基喹啉铝(Alq)为电子传输层,制备了双层电致发光器件,器件的结构为ITO/PVK:Tb(m-benzoicacid)3/Alq/LiF/A1,该器件的电致发光为三价铽离子的特征发光,在21伏的电压下,亮度可达311尼特.
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