IGZO即InGaZnO作为一种透明氧化物半导体在近年来受到了研究者重视和广泛应用。传统的半导体氧化物由于透明性差、迁移率低、载流子浓度不可控制、制备工艺复杂、生产成本过高而不能适应市场的需求。随着近年来显示屏幕科技的发展，人们对于显示屏中像素点的控制组件薄膜晶体管的品质提出了更高的要求。非晶IGZO由于制备温度低、迁移率高、载流子浓度可控成为了制作薄膜晶体管沟道层最理想的材料之一。非晶IGZO高迁移率的最主要成因是金属ns轨道呈球形分布各向同性，交叠部分较大，所以IGZO具备良好的载流子传输通道，即使在非晶分子结构长程无序情况下仍具有良好的电子传输特性。学者们对于非晶IGZO进行了很多方面的研究，例如非晶IGZO组分配比，非晶IGZO氧缺陷对光电性能的影响，光敏感性和气氛敏感性等问题。然而非晶IGZO作为构成薄膜晶体管沟道层的器件，还存在一些实际应用的问题有待讨论。我们采用自制的IGZO靶材，利用脉冲激光沉积制作了一批非晶IGZO薄膜样品，围绕着两个问题展开研究：第一，研究不同厚度的非晶IGZO光电特性上的差异。通过霍尔效应测试，光学透射测试，分析不同厚度的IGZO光电特性差异的原因。我们发现，在脉冲激光沉积的初期氧缺陷的结构和沉积末期氧缺陷的结构会发生变化，这种变化无疑会改变薄膜的光电特性。另外，非晶IGZO重金属元素之间沉积速度不均匀也会对薄膜的光电学性能产生影响。第二，研究不同氧压制备下非晶IGZO在电学性能上的差异。随着沉积过程中氧压的增加，非晶IGZO薄膜中的氧缺陷逐步减少，电学性能也随着氧压的增加而逐步衰退。证明了改变氧压是获取高品质非晶IGZO薄膜的一种很好手段。