本文溅射得到了五种成分和四种退火温度下的CoCu纳米颗粒膜,首先对薄膜的微观结构进行了分析，发现CoCu薄膜易形成置换固溶体，且 Co，Cu原子在其中均匀分布；制备态CoCu薄膜倾向于形成fcc亚稳结构，增加薄膜Co含量或提高退火温度均有利于薄膜发生fcc—hcp结构转变。 退火增大了CoCu薄膜表面粗糙度，但300oC退火后粗糙度减小，这对于确定薄膜的退火工艺具有一定的参考价值；退火后薄膜粗糙度随Co含量增加而增大，最大值对应Co含量为63atm.％；CoCu薄膜表面粗糙度远小于紫外光波长，可以满足磁光存储的要求。 CoCu薄膜克尔转角随Co含量增加而增大。含Co47atm.％以上的CoCu薄膜短波波段克尔转角峰值均大于0.15o，达到了商用要求；退火处理也可增强薄膜的磁光效应，Co含量较高的薄膜较高温度下退火后析出了第二相粒子，形成类似多层膜结构，层间耦合强化了克尔效应，使这些薄膜的克尔转角甚至大于纯Co薄膜；退火后CoCu薄膜的短波和长波克尔峰位随Co含量的升高有向长波偏移的趋势。 另外，升高退火温度和提高CoCu薄膜中的Co含量均有利于提高薄膜的饱和磁场强度。