集成电路工艺经过近40年的发展,取得了很大的成功。随着器件尺寸的不断缩小,硅平面技术将很快走到它的性能极限。人们开展了大量的研究工作,寻找传统CMOS技术的替代技术。在这些研究工作中,硅纳米线晶体管尤其引人注目。本文的工作就是结合Savitzky-Golay滤波技术,对硅纳米线晶体管阈值电压的提取过程进行了相关研究。随着器件尺寸进入到纳米量级,器件开态电流变得很小,测量系统或芯片电路及器件的噪声会引起测量数据出现明显的涨落,这使得像提取器件阈值电压等电学参量的过程变得很不稳定。将Savitzky-Golay滤波算法引入到电学参量的提取过程中,对测量数据或计算过程进行平滑去噪处理,能使电学参量提取过程变得稳定。本文应用Savitzky-Golay滤波算法对Id-Vg曲线和gm-Vg曲线进行平滑处理,调节不同的平滑口长度,通过寻找两次拟合后得到的跨导峰值附近的数据点的最小失配率,确定最佳拟合窗口长度,进而求出相对应的阈值电压参数。Savitzky-Golay滤波算法结合峰值附近曲线失配率判断能很好地在阈值电压参量提取过程中进行平滑去噪处理并能稳定地确定最终的提取参数值。在利用二阶导数法提取阈值电压的过程中,分析了阈值电压的抽取值与滤波器窗口长度之间的关系,通过确定失配系数极小值从而找到提取阈值电压的最佳拟合曲线。通过测量数据,本文还研究了硅纳米线晶体管的阈值电压与沟道长度、沟道宽度、环境温度以及衬底偏压的关系。这些研究对于纳米级MOSFET,尤其是硅纳米线晶体管电学参量的提取技术的发展具有很好的理论和现实意义。