随着微电子产业的发展，集成电路的集成度不断提高的同时场效应晶体管（FET）的特征尺寸也在不断缩小，由此引起的器件的稳定性和可靠性问题变得越来越复杂，这些问题已经严重影响到了场效应晶体管未来的发展。为了解决绝缘层厚度不断减小带来的器件漏电流问题，研究者开始采用高介电常数的材料代替传统的SiO2栅绝缘材料，这在一定程度上解决了燃眉之急。但是高k材料存在高密度的缺陷，由此引发的陷阱俘获效应会导致器件的阈值电压漂移和载流子迁移率下降等问题，这些现象掩盖了器件的本征特性，而用传统直流方法测试器件性能时无法避免陷阱俘获效应。此外，在传统直流测试过程中器件一直处于导通状态，由此引发的器件自热效应将无法避免。由于脉冲测试的速度快，可以有效的避免陷阱俘获和长期测试产生的器件热效应，揭示被测器件的近本征性能。因此，脉冲测试对于理解上述现象的相关机理和器件的优化都具有重要意义。本论文首先对场效应晶体管及脉冲测试进行了介绍，运用4200-SCS脉冲模块对不同型号标准商业器件的I-V特性曲线进行了脉冲测试和传统直流测试，通过比较两种测试下器件性能参数的变化展现了脉冲测试的优势，并对测试结果进行了分析和解释。其次，在Cascade M-150探针台上实现了商业器件的脉冲测试，通过比较商业器件测试夹脉冲结果和探针台脉冲结果的差异性，证明了探针台脉冲测试的噪声更大。最后通过传统直流测试表征了微纳场效应晶体管的阈值电压漂移现象，并在探针台上对微纳器件进行了脉冲测试的尝试，结合测试设备的相关测量参数对测试结果进行了分析。为了获得更精确的脉冲测试结果，需要将脉冲测试系统和探针台之间进行合理的连接，同时还要在小电流测试速度和噪声之间进行合理的取舍。