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本文对离子源的溅射特性进行了研究，采用离子束溅射法制备了TiN_y单层薄膜和CN_x／TiN_y多层薄膜，探索该法制备CN_x薄膜的最佳工艺参数，并利用TiN_y薄膜为衬底以促进CN_x薄膜的生长。 溅射特性研究结果表明：屏极电压和溅射气压对离子束均匀性和束流密度影响显著；加速电压对两者影响较小；石墨靶的最佳入射角为50°。 研究了实验参数对TiN_y薄膜结晶取向的影响。结果表明：在能量为875eV、束流为60mA时获得取向较好的Ti_2N(2