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近年来,利用半导体氧化物的光催化技术发展迅速且备受研究者们的青睐。因为半导体光催化技术降解有机污染物具有清洁无毒、能源利用效率高、不产生二次污染和工艺流程简单等优点。基于光催化原理分析,光催化效率主要受限于光激发范围,因此研究全光谱光催化剂对光催化意义重大。迄今为止,以宽带隙半导体为主要的研究对象的光催化剂光响应范围受限,只能够吸收约5%左右的太阳能,光响应范围较窄,大部分太阳光得不到利用。以WO3为代表的窄带隙半导体也引起了人们的注意并被广泛开发和研究。WO3作为一种间接带隙半导体(Eg=2.5-2.8 eV)材料,能吸收12%的太阳光,波长可以响应近500 nm的可见光。WO3的宽带隙和窄的禁带宽度,使其在可见光条件下,具有良好的光电响应性能。但是吸收太阳光范围仍然受限,仍有50%的红外光得不到利用。以WO3为负载的全光谱光催化剂方面的研究非常少,本文以WO3为负载探索制作了全光谱Z型能带光催化剂。具体工作如下:一、成功制备了WO3、Ag2S材料,并研究了 WO3、Ag2S对亚甲基蓝(MB)的降解情况。二、通过两步法成功制备了Ag2S/WO3复合材料。并研究了Ag2S/WO3复合材料对MB降解情况,并同WO3材料对MB的降解情况进行了比较。结果表明:在同样的条件下光催化降解条件下,Ag2S/WO3复合材料对MB的降解速率高于WO3材料。并从能带结构角度分析了两者催化剂的光催化机理,结果表明Ag2S/WO3复合材料较高的光催化效率归因于形成了Z型能带异质结和利用全光谱进行光催化。三、通过两步法进一步制备了 Ag2S/Ag/WO3复合材料。并研究了Ag2S/Ag/WO3复合材料对MB降解情况。并同WO3材料、Ag2S/WO3复合材料对MB的降解情况进行了比较。结果表明,在同样的光催化降解条件下,Ag2S/Ag/WO3复合材料对MB的降解速率最高。并从能带结构角度分析了不同催化剂的光催化机理,结果表明Ag2S/Ag/WO3复合纳米材料较高的光催化效率归因于形成了有导电介质的Z型能带异质结和利用全光谱进行光催化。