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大功率快恢复二极管(FRD)广泛应用于电力电子领域,作为续流二极管与三端功率器件并联使用,是现代电力电子技术中的关键器件。随着电力电子技术的发展,电力电子器件的频率不断提高,特别是IGBT、功率MOSEFT的研制成功,并得到急剧发展和商业化。因此与IGBT、功率MOSFET等高频电子器件配套,且不可缺少的快速软恢复二极管的开发成为一个重要和迫切的需要。本文针对150A/1200VPIN大功率快恢复二极管,在分析FRD的基本结构,工作原理以及主要参数影响基础上,分别采用理论计算以及计算机模拟技术,根据器件的正向压降VF,反向耐压VR,反向漏电流IR,反向恢复时间trr电学参数,对其结构参数以及工艺参数进行了理论计算和计算机模拟分析优化。特别是对长基区局域寿命区域位置、寿命大小以及长基区寿命等参数对器件正向压降VF,反向漏电流IR,反向恢复时间trr,电学参数的影响进行重点分析优化,最终得到二极管的结构与工艺参数,并结合工艺条件制定出工艺流程和工艺参数。最后进行了样品试制以及样品的测试分析。其测试结果表明：试验样品的正向压降VF,反向耐压VR,反向恢复时间trr各项性能指标均达到设计要求。说明了设计出的器件结构参数以及工艺方法和参数正确的；设计方法是可行的。为以后平面150A／1200VPIN大功率快恢复二极管设计与制造,提供了具有一定参考价值的结构参数以及工艺参数。