锡氧化物半导体纳米材料的合成、表征与性能研究

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介于宏观与微观领域的介观领域,近年来成为物理、化学、材料以及生物等学科的研究重点.由该领域独立出来的纳米体系(1~100nm)和建立在对它深入研究基础上的纳米科技(Nano-ST),将在本世纪的自然科学领域占据中心地位.纳米材料是纳米科学技术的一个重要组成部分,当前纳米材料的制备及其性能研究已经进入到一个新的阶段.其中具有透明半导体性质的氧化锡纳米材料,由于在液晶显示器、太阳能电池、保护性涂层和对某些还原性气体检测的气敏元件等领域表现出的潜在应用前景而日益引起研究者的关注.基于上述原因,该论文从对氧化锡纳米体系的掺杂改性入手,创新的使用低温氮化处理过程对该纳米体系进行探讨;结合高分子模板技术,在使用高分子模板法诱导合成低维或准一维氧化锡纳米材料方面取得突破性进展,合成出具有奇异荧光特性的唯一维SnO<,2>纳米体系,并且以实验为依据提出了可能的合成、生长机理.
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