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具有金红石型结构的SnO_2是一种宽带隙n型半导体材料,其室温禁带宽度为3.6eV(300K)。由于其独特的光电性质及稳定的化学性质,已被广泛的应用在光电器件以及还原性气体检漏的气敏元件等领域。一维的SnO_2纳米结构由于具有大的比表面积和量子尺寸效应,在气敏传感器、太阳能电池、透明导电电极、催化剂载体等方面有着潜在的应用。本文通过热蒸发SnO_2粉末方法制备SnO_2纳米带,然后采用浸泡的方法合成Ag/SnO_2纳米带的复合结构。同时结合电场组装的方法和表面光电压技术分别对SnO_2纳米带复合前后