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本文采用水热/溶剂热法,成功合成了具有不同形貌的低维纳米结构光伏材料,通过TEM、SEM等测试手段对产物的形貌和尺寸进行了表征；用XRD、EDS等对产物的的结构和成分构成进行了测试分析；同时,根据对实验结果和测试表征结果的分析对产物的形成机理及过程进行了推测和讨论；简要分析了制备过程中的影响因素。并用染料或g-C3N4对不同形貌的纳米ZnSe敏化得到复合光阳极,对光阳极的光电性能进行较系统研究。全文的主要结论如下：(1)采用乙二胺为溶剂,通过溶剂热法在Zn薄片上成功合成了具有很好方向性的ZnSe纳米带前驱物阵列,纳米带长约1μ m,宽约100-400nm,厚度约为1Onm。经300℃加热3h后得到结构为六方纤维矿的ZnSe纯相,且仍保持ZnSe纳米带结构的阵列。高分辨透射电镜图表明：退火前纳米带是由许多尺寸为3-4nm的纳米晶体相对有序排列组成的多晶体,经退火后,失去乙二胺小分子,晶粒之间紧密连接组成一个大的单晶体。为对乙二胺的所起作用的分析和比较,还做了以乙二胺和甲醇为混合溶剂,以及H2O为溶剂分别成功制得了ZnSe纳米线阵列和纳米颗粒。(2)通过电化学沉积法在不同形貌ZnSe样品上沉积C3N4薄膜,制备C3N4/ZnSe复合材料。以该复合物为光阳极对其进行光电性能的测试。用粉末衍射(XRD)、傅立叶红外(IR)对聚合物C3N4/ZnSe的晶型结构、官能团进行分析。光电性能测试结果表明,g-C3N4敏化的ZnSe/Zn纳米带阵列光阳极具有最高光电转换效率为0.037%,其开路电压0.437V,短路电流密度为0.086mA/cm2。染料敏化不同形貌的ZnSe/Zn光阳极的光电性能结果也证明了其敏化的ZnSe/Zn纳米带阵列光阳极具有较好的光电性能。(3)采用低温水热法和溶剂热法,通过制备条件的控制,成功制备CuInS2光伏材料,溶剂热法在未使用任何金属催化剂或添加剂,以加热温度为160℃,恒温24h,Cu：In：S=1：1：3,分别用乙二醇和蒸馏水为溶剂,不同的硫源：升华硫粉和硫脲,InCl3溶液的pH为2.31和1制备CulnS2光伏材料,XRD的结果表明,以乙二醇为溶剂,硫脲为硫源得到的CulnS2都具有黄铜矿结构,其生长方向都沿(112)晶面择优生长；制备的CuInS2生长具有一致性。SEM图显示以乙二醇为溶剂,硫脲为硫源制备的CuInS2为球状结构,两种方法制备的CuInS2都得到两种外形不同的球体结构,一种是表面很光滑的微球体,另一种是表面由小而轻的薄片相互连接的网状微球体。通过对后者的光电性能测试,其能量转换效率是0.53%。