一直以来，人们对纳米材料有着越来越浓厚的兴趣，特别是半导体纳米材料显得尤为突出。在众多纳米半导体材料中，氧化锌（ZnO）以其独特的性质强烈的吸引着人们眼球，有着不可替代的位置，特别是在室温下具有3.37 eV的宽带隙，激子束缚能高（60 meV）等优点。与纯的相比较，Al掺杂的ZnO具有较高的电导率和光透射性，因此，Al掺杂的ZnO更适合用于透明半导体导电材料。In、Al共掺杂的ZnO不但可以增加载流子浓度提高导电性，而且，由于 In和Al的原子半径与Zn相近，掺杂后不易引起晶格畸变，In、Al共掺杂ZnO一维纳米结构有望成为性质优良的透明导电材料。　　本文采用化学气相沉积（CVD）的方法合成了In、Al共掺杂ZnO纳米线和纳米串的准一维结构，并且通过扫描电子显微镜（SEM）、能谱分析（EDX）、X射线衍射（XRD）对样品的形貌、结构和成分进行表征。通过XRD非常明显地看出，只有一套典型的ZnO六角纤锌矿结构的衍射峰，从EDX能谱上分析，合成的这些纳米串是由Zn、O、Al和In元素组成，表明In和Al已经成功的掺杂进ZnO晶格。　　采用了方法简单的模板技术制作In、Al共掺杂一维ZnO纳米结构的电极，Au作为电极材料形成肖特基接触。采用紫外光作为激发光源，研究了光电导的机制并分别对In、Al共掺杂ZnO纳米线和纳米串结构的光电特性，包括在暗环境及紫外照射下的伏安特性，光电响应率和光电响应时间进行了研究。　　实验表明组装的器件可以用于光电探测，纳米串结构的光电流响应时间小于0.5 s，衰退时间大约为23 s；纳米线结构的光电流响应时间为0.5 s，衰退时间大约为33 s。