现代通信电子产品的快速发展对微波模块的性能要求不断提升。作为微波电路基板、封装以及一些无源元器件的关键材料，微波介质陶瓷的性能优化和低温烧结技术已成为研究热点。　　Mg2SnO4陶瓷具有低介电常数、低介电损耗的特点，是一种优良的低介微波介质材料。目前该体系的研究主要集中在Mg2SnO4的离子掺杂改性等方面，然而仍存在以下问题有待解决:(1)陶瓷的烧结温度为1600℃左右，烧结时SnO2挥发等原因导致气孔较多、致密度低;烧结温度过高，无法与Ag-Pd电极共烧。(2)谐振频率温度系数负值过大。　　本文通过非化学计量比、离子取代的方法调控晶体结构，改善其烧结特性，并优化了微波介电性能;引入玻璃、低熔点化合物和复合助剂降低Mg2SnO4陶瓷烧结温度，研究添加剂对陶瓷烧结特性、相组成、微观形貌和微波介电性能的影响;引入CaTiO3对温度系数进行调整;研究了陶瓷与Ag-Pd电极的共烧性能。　　（一）采用非化学计量比优化Mg2SnO4陶瓷烧结特性，提升微波介电性能。化学计量比Mg2SnO4陶瓷的XRD结构精修表明，陶瓷为完全反转的尖晶石结构，O以面心立方密堆，一半Mg2+离子占据四面体位置，另一半Mg2+离子同Sn4+离子共同占据八面体位置。使用固相法制备Mg过量的Mg2+xSnO4陶瓷，过量的Mg固溶于Mg2SnO4晶格间隙，引起的晶格畸变，从而提升陶瓷烧结特性，陶瓷介电性能也随致密度提升而得到优化。1620℃烧结的Mg2.15SnO4陶瓷获得了良好的微波介电性能:εr=7.42，Q×f=76800GHz，τf=-50 ppm/℃。　　（二）研究了Al3+掺杂对Mg2SnO4晶体结构的影响及其对微波介电性能影响机理。XRD精修结果表明，掺杂的Al3+同时进入氧四面体和八面体位置，引起氧多面体的扭转和畸变、降低其对称性。Al3+的掺杂提高烧结活性，烧结时间由4h缩短至1h;适量掺杂改善Mg2SnO4陶瓷的烧结性能，同时增大了陶瓷的Q×f值;另一方面，计算发现Al3+掺杂导致了晶体结构中正离子键价升高，从而降低其τf值。Al3+掺杂量为0.05的陶瓷1620℃烧结1h获得良好的微波介电性能:εr=7.77,Q×f=53200 GHz,τf=-49 ppm/℃。　　（三）采用铋酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃助剂降低MgSnO4陶瓷的烧结温度，研究了玻璃助剂添加的陶瓷体系物相组成、微观形貌与其介电性能之间的内在联系。(1)玻璃在加热时形成的低粘度液相可促进烧结、降低陶瓷烧结温度，15wt.％的铋酸盐玻璃或20wt.％硼硅酸盐玻璃添加可以将Mg2SnO4烧结温度从1620℃分别降至1350℃和1250℃附近;(2)添加玻璃助剂的Mg2SnO4陶瓷在烧结过程可能反应生成新的物相，影响陶瓷介电性能。铋酸盐玻璃添加的陶瓷中，玻璃含量20 wt.％时析出Bi2O3，阻碍陶瓷致密化，严重降低材料Q×f值;硼硅酸盐玻璃添加的陶瓷中，B2O3含量较少时会出现Mg2SiO4相，由于其本身具有极低的介电损耗，对添加硼硅酸盐玻璃助剂的Mg2SnO4陶瓷体系的介电性能有积极作用。(3)由于玻璃相的存在，添加玻璃助剂的Mg2SnO4陶瓷微波介电损耗较大。　　（四）采用复合助剂LiF-Fe2O3-V2O5将Mg2SnO4烧结温度降低至1050℃，研究了复合助剂协同降温机制以及对微波介电性能的影响。烧结时，复合助剂熔化，形成典型液相烧结;同时，Fe3+离子进入晶格，导致晶格畸变，促进烧结传质过程。两种机制协同作用，使得添加复合助剂添相比单一助剂用量更少且具有更好的降温效果。加4 wt.％ LiF-Fe2O3-V2O5复合烧结助剂的Mg2SnO4陶瓷在1050℃烧结得到了很好的介电性能:εr=7.90，Q×f=41400 GHz，τf=-80ppm/℃。陶瓷与Ag-Pd内电极共烧实验表明，陶瓷与电极间不发生化学反应，界面结合良好。使用CaTiO调节上述复合陶瓷的τf值，添加量为20％时可值上升为-5ppm/℃。