本论文围绕圆片级芯片尺寸封装的关键技术，研究了圆片级芯片尺寸封装中的再布线结构和焊点的可靠性，深入分析了圆片级芯片尺寸封装的可靠性的影响因素，主要内容如下:　　1.首先通过实验测试和理论计算的方法分析了圆片翘曲的原因。对硅上一层聚酰亚胺(1P)、硅上一层电镀铜(1M)以及硅上一层聚酰亚胺和一层电镀铜(1P1M)结构经历聚酰亚胺固化过程的曲率变化进行了测试，结果显示，经历高温固化过程后的降温过程中，三种样品中圆片曲率与温度呈线性关系，并且在室温下三种结构的曲率分别为0.07/m、0.25/m、0.3/m，1P1M结构的曲率相当于1P与1M两种结构的曲率的线性叠加。以此为基础，模拟多层再布线固化后的翘曲，发现随着再布线层数的增加，翘曲将不断增加，而且电镀铜的影响要大于聚酰亚胺。认为圆片的翘曲主要由电镀铜经历固化过程后引起。　　2.研究了圆片级芯片尺寸封装再布线中层间绝缘介质聚酰亚胺的稳定性问题。研究了固化温度曲线对聚酰亚胺层的稳定性的影响，发现升温速率为5-7℃/分钟，固化时间为375℃时90分钟或者200℃时90分钟，有利于提高聚酰亚胺玻璃化温度。发现聚酰亚胺应力温度曲线拐点温度为其玻璃化温度。研究了聚酰亚胺厚度对其稳定性影响，发现对于同一条固化温度曲线，存在一个适中的厚度使得聚酰亚胺的玻璃化温度最高。　　3.研究了再布线技术中电镀铜孔洞形成机理，实验中发现孔洞的形成与作为种子层的溅射铜表面的裂纹有关，通过轻微腐蚀溅射铜表面，可以去除电镀铜中的孔洞。而在电镀铜表面溅射TaN则可以使电镀铜经受高温退火而不形成孔洞。　　4.对圆片级芯片尺寸封装的芯片进行了热循环可靠性测试，发现了焊点间距、焊点尺寸、焊盘尺寸、基板焊盘设计、涂助焊剂/锡膏工艺等对焊点可靠性的影响，并通过有限元模拟从理论上进行了解释。