新型陶瓷材料Ti₂SnC具有较高的电导率、良好的可加工、自润滑性和耐腐蚀等优良性能,已成为国内外研究的热点。Ti₂SnC的六方晶结构决定了其性能各向异性特征,但目前制备的Ti₂SnC多晶材料由于颗粒的随机分布,使材料表现出各向同性,在某一晶向的优良性能无法表现出来。本论文采用模板晶粒定向生长方法来探讨制备织构化Ti₂SnC材料,从而研究其导电性能的各向异性。本论文的主要研究内容包括:①Ti₂SnC模板晶粒的制备;②Ti₂SnC模板晶粒定向技术;③烧结工艺;④织构化Ti₂SnC陶瓷的导电性能研究。Ti、Sn和C三种粉料按摩尔比Ti:Sn:C=2:1.1:1配料（标记为2Ti/1.1Sn/C混合粉）,其中C为以玛瑙球为介质,在250转/分钟条件下球磨4小时的活性炭。混合后的粉料在1200℃煅烧2h,合成了Ti₂SnC粉体。将上述粉体经热盐酸处理并结合超声振动分散6小时后,得到了片状Ti₂SnC模板晶粒,晶粒尺寸小于10μm,厚度小于1μm。分别将15%、25%、35%和45%重量比的Ti₂SnC模板晶粒加入到2Ti/1.1Sn/C混合粉中,并添加相当于粉料质量的70%的蒸馏水和1%质量比的羟丙基甲基纤维素为粘结剂,制备流延浆料。流延工艺在自制的刮膜机上进行,得到厚度为0.8mm的素坯片,将坯体剪切叠加,经过脱脂,在1200℃,30MPa压力,保温2h的条件下热压烧结得到织构化Ti₂SnC块体材料。利用扫描电镜和X-射线衍射技术对材料进行表征。XRD衍射结果表明,添加35%晶种的织构化Ti₂SnC的取向度最高,Lotgering因子f=47.6%。利用扫描电镜对其微观结构进行了观察,显示Ti₂SnC模板晶粒沿流延方向排列并长大,形成了织构化微观组织。添加35%晶种的织构化Ti₂SnC材料的致密度高达98.4%,导电率为3.69×10⁶Ω^-1·m^-1,是无织构化Ti₂SnC材料导电率1.74×10⁶Ω^-1·m^-1的两倍。