踏入二十一世纪,NAND Flash memory(快闪记忆体),已广泛应用于移动手提设备和嵌入式系统中,NAND Flash无疑已经成为主流的大容量存储介质。由于NAND Flash出厂时和在使用中均会产生坏块,坏块管理一直是NAND Flash管理的关键和难点所在。传统的针对小容量NAND Flash采用的坏块管理算法已经不能适应现代大容量NAND Flash的需要。因此,急需突破传统的NAND Flash坏块管理设计思想,研究新的坏块管理算法与关键技术。在上述研究内容中,坏块替换和逻辑—物理块地址映射表的更新是坏块管理算法的核心内容,因此本论文重点研究NAND Flash中的坏块管理算法与相应的逻辑层驱动设计,主要研究成果如下:(1)本论文在综合分析ST等主流NAND Flash芯片供应商提供的坏块管理方法基础上,提出了一种优化了的动态坏块管理算法。在NAND Flash使用过程中,遇到擦除失败或编程失败的块,进行动态的坏块管理,动态更新坏块信息表。(2)针对目前流行嵌入式系统大部分采用FAT文件系统管理NAND Flash的情况,结合新一代大容量NAND Flash均支持的cache program、multi-page program等操作方式,以动态坏块管理算法为基础,设计实现了NAND Flash芯片的逻辑层驱动,给出其具体函数实现,并在FPGA平台上通过验证。该方法在HT3001芯片设计中通过了验证,该芯片现已流片并量产。分析结果表明,本论文提出的动态坏块管理算法和逻辑层驱动可以有效解决NAND Flash使用中的坏块管理问题、对NAND Flash的读写问题,可以为NAND Flash在嵌入式系统和移动手持设备中的管理提供基础和支持,有重要的参考价值。