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该论文主要围绕膜全耗尽SOIMOSFET的电容模型,进行了理论以及实验两方面的研究 工作.首次对不同器件物理参数及工艺参数对栅电容的影响进行了较为全面的分析和研究,对器件的优化设计给出了理论指导.研究人员详细分析了温度对器件物理参数的影响,首次提出了在高温条件下的薄膜全耗尽器件的电容模型.研究人员首次研究了自加热对SOI器件 电容的影响,得到了考虑自加热效应下的电容模型.并对考虑自加热效应时电容的变化规律作了定性的解释.在国内首次用直流的方法对电容测试进行摸索性的研究.