随着半导体、计算机和太阳能等领域的迅速发展,ZnO材料广泛应用于高清平板显示器、透明电极、太阳能电池板和各种光电子设备。本文以制备A1掺杂ZnO(AZO)粉体和陶瓷靶材为目的,论述了ZnO的掺杂理论、典型性能、靶材的制备技术及高分子网络凝胶技术的发展现状；研究了聚丙烯酰胺高分子凝胶法制备AZO粉体的基本工艺与方法；分析了A1掺杂浓度,前驱体煅烧工艺对粉体光学性能的影响；研究了二步烧结法制备AZO陶瓷靶材的烧结工艺；分析了A1掺杂浓度、烧结温度T1、升温速度v1、保温温度T2对AZO陶瓷靶材的显微结构、相对密度和导电性能的影响。研究结果表明：(1)随着A1掺杂浓度的增加,AZO粉体晶粒尺寸逐渐减小；在600℃的煅烧温度下,Al的掺杂浓度可高达8%,当煅烧温度升高至750℃,AZO粉体(x(A1)=5.5%)出现少量耐腐蚀的第二相ZILAl204.(2)AZO粉体的紫外吸收随Al掺杂浓度的增加先蓝移后红移,而随煅烧温度的提高发生红移；当Al掺杂浓度为5.5%(摩尔浓度)时,在550-C煅烧下1h,AZO纳米粉体具有最大的光学禁带能,为3.39eV(366nm)；粉体还表现出近边紫外发射(406nm)和蓝光发射(430nm)性能。(3)Al掺杂后ZnO的结构为纤锌矿结构；其晶格常数a和c随Al掺杂浓度的增加呈现先减小后增大的趋势。当掺杂浓度过大时,XRD衍射谱中出现锌铝尖晶石相(ZnAl204)的衍射峰。(4)随着Al掺杂浓度的提高,AZO靶材的相对密度逐渐降低,随升温速率的提高,靶材的相对密度增加；随着保温温度T2的提高,靶材的相对密度增加,电阻率降低。在T1=1400℃、v1=10℃/min,T2:1350℃的烧结工艺下,AZO(w(A1203)=1.5％)靶材电阻率为2.9×10-2Ω·cm。