随着电子封装技术向着小型化、高可靠性、高密度方向发展，对基板材料性能要求也越来越高。陶瓷基板因其良好的耐热性、导热性、绝缘性、低热膨胀系数以及成本不断降低，在功率电子器件封装中的应用越来越广泛。Al2O3和AlN是两种常见的基板材料，而AlN-Al2O3复相陶瓷可兼顾AlN、Al2O3的优异特性，因此受到了研究人员的极大关注。　　本论文主要以高导热 AlN-Al2O3复相陶瓷材料为研究对象，深入研究了 AlN及Al2O3原料特性及工艺参数对复相陶瓷导热性能的影响，以实现高导热A1N-Al2O3复相陶的制备。利用放电等离子烧结（SPS）工艺制备了AlN-Al2O3复相陶瓷，采用XRD， SEM等检测手段观察其物相组成及微观结构，利用激光脉冲法测试了样品的热扩散系数。通过调控 AlN、Al2O3原料的体积比及粒径和优化其工艺条件，探究其影响AlN-Al2O3复相陶瓷导热性能的物理机制，抑制AlON的生成，以提高AlN-Al2O3复相陶瓷的导热性能。通过上述研究，得出以下结论：　　（1）本研究中， AlN-Al2O3复相陶瓷导热性能主要受陶瓷材料致密度影响， AlN-Al2O3复相陶瓷致密度越高，其气孔率越低，材料导热性能越好。　　（2）本文实验中，Al2O3体积比为40 vol.％~70vol.%时，随着Al2O3体积比的提高烧结得到复相材料的致密度呈递增趋势，固溶产物 AlON的生成量呈递减的趋势。且Al2O3体积比为70vol.%的 AlN-Al2O3复相陶瓷断裂韧性最好，同时复相陶瓷导热率到达最高值39.58W/(m·K)。　　（3）相同工艺条件下，Al2O3体积比为50%时，原料粒径组合为1μm AlN+0.02μm Al2O3的试样与原料粒径组合为1μm AlN+0.2μm Al2O3、10μm AlN+0.02μm Al2O3、10μm AlN+0.2μm Al2O3相比，原料粉体粒径小比表面积大，烧结所需驱动能少，容易烧结致密，且制备得到的AlN-Al2O3复相陶瓷热导性能最高。　　（4）Al2O3体积比为50%时，在烧成温度为1400℃，保温时间为5min的基础上，提高烧成温度到1500℃对 AlN-Al2O3复相陶瓷导热性能的提升比延长保温时间到10min更加明显。　　本论文较为系统的研究了原料组成、粒径对 AlN-Al2O3复相陶瓷导热性能的影响机理，通过提高原料中Al2O3体积比，改进原料中AlN、Al2O3粒径组合，优化工艺参数等方式，不同程度的提高了其导热性能。研究结果表明 AlN-Al2O3复相陶瓷中加入小粒径的Al2O3原料可以有效降低烧结温度，且制备出高导热性能的复相陶瓷。由于时间篇幅有限，AlN-Al2O3复相陶瓷的导热研究还有很多工作需要深入开展，但相信在不久的将来通过工艺优化、调控方式的改善，复相陶瓷导热性能将会有更大的突破。