【摘 要】
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在某类硅压阻式压力传感器工作温度范围内,其芯体输出包含正温度系数区域与负温度系数区域.现有的并联电阻对硅压阻式压力传感器进行温度性能补偿的方法具有一定的局限性,只能在芯体输出具有正温度系数的温区计算补偿电阻,补偿后在全温区热灵敏度漂移数值较大.本文对原有并联电阻补偿方法进行了改进,提出了三点拟合温度补偿法,减小了传感器工作全温区的热灵敏度漂移.使用提升方法后在(-40～60)℃范围热灵敏度漂移由2
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十九研究所 火箭军驻哈尔滨地区军事代表室,哈尔滨150001
【出 处】
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第十四届全国敏感元件与传感器学术会议
论文部分内容阅读
在某类硅压阻式压力传感器工作温度范围内,其芯体输出包含正温度系数区域与负温度系数区域.现有的并联电阻对硅压阻式压力传感器进行温度性能补偿的方法具有一定的局限性,只能在芯体输出具有正温度系数的温区计算补偿电阻,补偿后在全温区热灵敏度漂移数值较大.本文对原有并联电阻补偿方法进行了改进,提出了三点拟合温度补偿法,减小了传感器工作全温区的热灵敏度漂移.使用提升方法后在(-40～60)℃范围热灵敏度漂移由2.2670％减小到1.0930％.
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